濕蝕刻

濕蝕刻是光刻后的微加工過程，用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，又稱基板，通常是平面表面，用作電子和微流體設(shè)備流體設(shè)備的基礎(chǔ)；較常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕蝕刻是半導體制造、微機械和微流控設(shè)備的重要過程，需要微尺度的特性來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流，這在宏觀上幾乎是不可能的。z軸蝕刻常用于分層應(yīng)用，因為它可以通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制。缺點包括許多化學廢物，其中許多是高酸性和多步過程。

蝕刻前，需要覆蓋底部區(qū)域，以獲得設(shè)備所需的詳細功能。在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋轉(zhuǎn)到晶圓上。然后預烘烤晶片，以去除光刻膠中多余的溶劑。然后將具有所需特性的切口掩模放置在光學耐腐蝕劑的頂部，并用紫外線固化任何暴露的光學耐腐蝕劑。涂層晶片現(xiàn)在可以濕蝕刻，以雕刻所需的圖案。

各向同性蝕刻

各向同性蝕刻，即各方向均勻蝕刻，是指基材方向不影響蝕刻劑去除材料的方法。腐蝕劑(一種腐蝕性化學物質(zhì))施加到覆蓋的晶圓上時，蝕刻會以同樣的速度發(fā)生在覆蓋所有方向的區(qū)域，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻劑稱為掩模底部切割的基板材料。蝕刻劑可以在底掩模前沖洗掉，然后在通道上施加光刻膠，以避免這種情況。在墻上加入更多的蝕刻劑。蝕刻速率可以通過添加緩沖液來改變濃度或提高/降低溫度來輕松控制。

各向同性蝕刻不理想，因為它的方向性不強，難以控制。

各向異性蝕刻

各向異性蝕刻，即在不同方向上以不同速率產(chǎn)生的蝕刻，取決于襯底晶面的方向。

由于硅的單晶結(jié)構(gòu)，一些蝕刻劑可以根據(jù)硅的方向沿著某些平面或角度選擇性地蝕刻硅。例如，使用KOH作為在<100>晶體方向上蝕刻硅的化學藥物的選擇性比KOH在<111>硅蝕刻在方向上的選擇率是400倍。蝕刻化學物質(zhì)和硅晶體的方向可以通過改變時間在硅晶片中蝕刻許多不同的形狀和通道。

為了對玻璃等非晶體材料進行各向異性蝕刻，需要在蝕刻化學物質(zhì)周圍使用非蝕刻溶液的層流。這在襯底和蝕刻劑之間形成了屏障，并確保只去除與蝕刻劑接觸的所需區(qū)域。確保只蝕刻玻璃的特定區(qū)域。